GaN nedir ve neden ona ihtiyacınız var?

GaN nedir ve neden ona ihtiyacınız var?

Galyum nitrür veya GaN, şarj cihazlarındaki yarı iletkenler için kullanılmaya başlayan bir malzemedir. 90'lı yıllardan itibaren LED yapımında kullanılmaya başlandı ve aynı zamanda uydulardaki güneş pili dizileri için de popüler bir malzeme. Şarj cihazları söz konusu olduğunda GaN'in en önemli özelliği daha az ısı üretmesidir. Daha az ısı, bileşenlerin birbirine daha yakın olabileceği anlamına gelir; böylece şarj cihazı, tüm güç özelliklerini ve güvenlik standartlarını korurken, her zamankinden daha küçük olabilir.

Bir şarj cihazı gerçekte ne işe yarar?

Sorduğunuza sevindik.

Bir şarj cihazının içindeki GaN'e bakmadan önce, bir şarj cihazının ne yaptığına bir göz atalım. Akıllı telefonlarımızın, tabletlerimizin ve dizüstü bilgisayarlarımızın her birinin bir pili vardır. Pil cihazlarımıza güç aktarırken gerçekleşen şey aslında kimyasal bir reaksiyondur. Bir şarj cihazı bu kimyasal reaksiyonu tersine çevirmek için elektrik akımı alır. İlk günlerde, şarj cihazları aküye sürekli olarak meyve suyu gönderiyordu, bu da aşırı şarja ve hasara yol açabiliyordu. Modern şarj cihazları, akü doldukça akımı düşüren ve aşırı şarj olasılığını en aza indiren izleme sistemleri içerir.

Isı açık:
GaN silikonun yerini alıyor

80'li yıllardan bu yana silikon, transistörler için tercih edilen malzeme olmuştur. Silikon, elektriği daha önce kullanılan malzemelerden (vakum tüpleri gibi) daha iyi iletir ve üretimi çok pahalı olmadığından maliyetleri düşük tutar. Onlarca yıl boyunca teknolojideki gelişmeler bugün alışık olduğumuz yüksek performansın ortaya çıkmasını sağladı. İlerleme ancak bu kadar ileri gidebilir ve silikon transistörler ulaşabilecekleri en iyi noktaya yakın olabilir. Silikon malzemenin ısı ve elektrik aktarımı açısından sahip olduğu özellikler, bileşenlerin daha fazla küçülemeyeceği anlamına gelir.

GaN farklıdır. Çok daha yüksek voltajları iletebilen kristal benzeri bir malzemedir. Elektrik akımı, GaN'den yapılmış bileşenlerden silikondan daha hızlı geçebilir, bu da daha hızlı işlemeye yol açar. GaN daha verimli olduğundan daha az ısı oluşur.